Robert H. Dennard (Q289023)
Apparence
inventeur et ingénieur américain
Langue | Libellé | Description | Également connu comme |
---|---|---|---|
par défaut pour toutes les langues | Pas de libellé défini |
||
français | Robert H. Dennard |
inventeur et ingénieur américain |
|
anglais | Robert H. Dennard |
American engineer and inventor |
|
Déclarations
5 septembre 1932
1 référence
Robert Dennard
9 octobre 2017
23 avril 2024
91 an
Behavior of the ferroresonant series circuit containing a square-loop reactor (anglais)
1958
0 référence
1988
For invention of the basic one-transistor dynamic memory cell used worldwide in virtually all modern computers. (anglais)
2001
1990
Invention of the one-transistor dynamic memory cell which is the basis for the one-device DRAM (dynamic random access memory) memory chip used worldwide in computers and for his contribution to the scaling theory which has been widely used in the miniaturization of MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) integrated circuits. (anglais)
2009
2009
for his invention and contributions to the development of Dynamic Random Access Memory (DRAM), used universally in computers and other data processing and communication systems (anglais)
0 référence
2017
For seminal contributions in the field of Microelectronics for the invention of Dynamic Random Access Memory (DRAM), and CMOS scaling. (anglais)
Identifiants
Robert H. Dennard
David C. Hayes
0 référence
1 référence
28 octobre 2013
Liens de site
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