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Robert H. Dennard (Q289023)

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inventeur et ingénieur américain
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Langue Libellé Description Également connu comme
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    français
    Robert H. Dennard
    inventeur et ingénieur américain
      anglais
      Robert H. Dennard
      American engineer and inventor
      • Robert Heath Dennard
      • Robert Dennard

      Déclarations

      Robert Dennard.jpg
      2 490 × 1 990 ; 531 kio
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      1988
      For invention of the basic one-transistor dynamic memory cell used worldwide in virtually all modern computers. (anglais)
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      1990
      Invention of the one-transistor dynamic memory cell which is the basis for the one-device DRAM (dynamic random access memory) memory chip used worldwide in computers and for his contribution to the scaling theory which has been widely used in the miniaturization of MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) integrated circuits. (anglais)
      2009
      for his invention and contributions to the development of Dynamic Random Access Memory (DRAM), used universally in computers and other data processing and communication systems (anglais)
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      1990
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      2017
      For seminal contributions in the field of Microelectronics for the invention of Dynamic Random Access Memory (DRAM), and CMOS scaling. (anglais)

      Identifiants

       
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